Б/У H20R1203 (IHW20N120R3) транзистор IGBT 1200В 20А

Б/У H20R1203 (IHW20N120R3) транзистор IGBT 1200В 20А

Оригинальный мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) от компании Infineon серии IH-series. Этот компонент является бывшим в употреблении (Б/У), что означает аккуратный демонтаж с рабочей оригинальной аппаратуры. В сфере силовой электроники оригинальные Б/У транзисторы являются гораздо более надежным выбором для ремонта, чем новые дешевые аналоги сомнительного качества, поскольку они гарантированно выдерживают заявленные нагрузки.

Компонент имеет встроенный мощный монолитный диод и рассчитан на работу в режиме мягкой коммутации (soft commutation).

Основные технические характеристики:

• Производитель: Infineon

• Маркировка: H20R1203 (полное наименование IHW20N120R3)

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер ($V_{CE}$): 1200 В

• Ток коллектора ($I_C$): 40 А при температуре 25°C, и 20 А при 100°C

• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер ($V_{CEsat}$): типичное значение 1.48 В при 25°C

• Максимальная рабочая температура перехода ($T_{vjmax}$): 175°C

• Тип корпуса: PG-TO247-3

• Состояние: Б/У (проверен на отсутствие пробоя и соответствие емкости затвора)

Где чаще всего используется:

• Индукционные плиты и варочные поверхности: Это основное целевое назначение (Inductive cooking) данного транзистора согласно документации производителя.

• Микроволновые печи: В инверторных модулях управления мощностью микроволновок.

• Ремонт бытовой техники: Замена сгоревших силовых ключей в высокочастотных преобразователях напряжения.

Преимущества и особенности:

Использование фирменной технологии TrenchStop® обеспечивает высокую надежность транзистора, низкий уровень электромагнитных помех (Low EMI) и температурную стабильность параметров во время работы. Положительный температурный коэффициент напряжения насыщения позволяет без проблем использовать эти транзисторы при параллельном подключении.