Б/В H20R1203 (IHW20N120R3) транзистор IGBT 1200В 20А

Б/В H20R1203 (IHW20N120R3) транзистор IGBT 1200В 20А

Оригінальний потужний біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) від компанії Infineon серії IH-series. Цей компонент є вживаним (Б/В), що означає акуратний демонтаж із робочої оригінальної апаратури. У сфері силової електроніки оригінальні Б/В транзистори є набагато надійнішим вибором для ремонту, ніж нові дешеві аналоги сумнівної якості, оскільки вони гарантовано витримують заявлені навантаження.

Компонент має вбудований потужний монолітний діод і розрахований на роботу в режимі м’якої комутації (soft commutation).

Основні технічні характеристики:

• Виробник: Infineon

• Маркування: H20R1203 (повне найменування IHW20N120R3)

• Максимальна напруга колектор-емітер ($V_{CE}$): 1200 В

• Струм колектора ($I_C$): 40 А при температурі 25°C, та 20 А при 100°C

• Напруга насичення колектор-емітер ($V_{CEsat}$): типове значення 1.48 В при 25°C

• Максимальна робоча температура переходу ($T_{vjmax}$): 175°C

• Тип корпусу: PG-TO247-3

• Стан: Б/В (перевірений на відсутність пробою та відповідність ємності затвора)

Де найчастіше використовується:

• Індукційні плити та варильні поверхні: Це основне цільове призначення (Inductive cooking) даного транзистора згідно з документацією виробника.

• Мікрохвильові печі: В інверторних модулях управління потужністю мікрохвильовок.

• Ремонт побутової техніки: Заміна згорілих силових ключів у високочастотних перетворювачах напруги.

Переваги та особливості:

Використання фірмової технології TrenchStop® забезпечує високу надійність транзистора, низький рівень електромагнітних перешкод (Low EMI) та температурну стабільність параметрів під час роботи. Позитивний температурний коефіцієнт напруги насичення дозволяє без проблем використовувати ці транзистори при паралельному підключенні.