Б/в FGH50T65 транзистор IGBT FGH50T65SQD 50A 650V TO-247

Б/в FGH50T65 транзистор IGBT FGH50T65SQD 50A 650V TO-247

Транзистор FGH50T65SQD — це потужний біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT). Ця сучасна технологія поєднує в собі найкращі властивості двох типів напівпровідників: високий вхідний опір (як у польових MOSFET) та здатність комутувати величезні струми при високій напрузі з низькими втратами (як у біполярних). Компонент розрахований на тривалий робочий струм до 50 Ампер та напругу до 650 Вольт.

Інформація про стан товару: Ці електронні компоненти акуратно демонтовані з робочого промислового обладнання. З кожної партії проводиться вибіркове базове тестування для підтвердження робочих характеристик. Використання оригінальних напівпровідників із розборки є дуже популярним рішенням для обслуговування силової електроніки, оскільки дозволяє встановити надійну деталь із заводським кристалом. На виводах можуть бути залишки припою, що повністю враховано у вартості.

Компонент виконаний у масивному корпусі TO-247, який створений для ефективної передачі тепла на охолоджувальний радіатор, що є критично важливим при роботі з великими навантаженнями.

Основні технічні характеристики:

• Стан: Демонтаж (оригінал, вибірково перевірені).

• Тип транзистора: IGBT (з вбудованим діодом).

• Максимальна напруга колектор-емітер (Vces): 650 В.

• Максимальний постійний струм колектора (Ic): 50 А.

• Напруга насичення колектор-емітер (Vce(sat)): близько 1.6 В.

• Тип корпусу: TO-247 (вивідний, під радіатор).

Де найчастіше використовується:

• Обслуговування потужних зварювальних інверторів.

• Ремонт індукційних нагрівачів та промислових плит.

• Джерела безперебійного живлення (UPS) високої потужності.

• Сонячні інвертори та системи керування електродвигунами.

Порада від майстра: Перевірка потужного IGBT-транзистора звичайним мультиметром дещо відрізняється від перевірки звичайного польового транзистора. У режимі продзвонки діодів виміряйте опір між колектором та емітером — ви маєте побачити падіння напруги вбудованого антипаралельного діода в одному напрямку. Якщо спробувати «відкрити» транзистор, подавши плюс від мультиметра на затвор, він може відкритися не повністю або взагалі не зреагувати. Це абсолютно нормально, оскільки для повноцінного відкриття 50-амперного IGBT часто потрібна напруга вища, ніж та, що видає батарейка тестера. Для точної діагностики краще використовувати спеціальні транзистор-тестери (LCR-метри). І пам’ятайте про обов’язкове використання радіатора з термопастою!