Б/в IRFP23N50

Б/в IRFP23N50 (IRFP23N50L) транзистор N-канал 23А 500V польовий MOSFET корпус TO-247

Польовий MOSFET транзистор IRFP23N50L (Б/в, оригінальний демонтаж) — це потужний N-канальний напівпровідниковий прилад, призначений для роботи у високовольтних та високострумових колах. Транзистор розрахований на максимальну робочу напругу 500 В та здатний комутувати струм до 23 А. Деталь виконана в масивному корпусі TO-247, який забезпечує чудову площу контакту з радіатором для ефективного відведення тепла.

Цей товар є б/в (демонтованим з робочого обладнання). Для професійних майстрів це є суттєвою перевагою: ви отримуєте 100% оригінальний кристал, який гарантовано відповідає заявленим характеристикам (Datasheet) та витримує пікові навантаження, на відміну від дешевих сучасних “реплік”. Перед продажем усі транзистори проходять перевірку на спеціальному тестері (перевіряється ємність затвора, опір відкритого каналу та відсутність пробою).

Основні технічні характеристики:

• Стан: Б/в (оригінальний демонтаж, перевірений).

• Тип транзистора: MOSFET, N-канал.

• Максимальна напруга стік-витік (Vdss): 500 В.

• Максимальний струм стоку (Id): 23 А (при 25°C).

• Опір відкритого каналу (Rds(on)): ~0.20 Ом.

• Тип корпусу: TO-247 (вивідний, під радіатор).

Де найчастіше використовується:

• Ремонт силової частини зварювальних апаратів (інверторів).

• Потужні імпульсні блоки живлення (ІБЖ) та зарядні станції.

• Системи керування електродвигунами (частотні перетворювачі).

• Джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS) та сонячні інвертори.

Порада від майстра: Якщо у вашому пристрої згорів такий транзистор, ніколи не впаюйте новий (або цей б/в) одразу! Пробій силового MOSFET майже завжди “тягне” за собою резистор у ланцюзі затвора (Gate) та мікросхему-драйвер (або ШІМ-контролер). Якщо ви не перевірите обв’язку і подасте живлення — новий транзистор вибухне в ту ж секунду. Також при монтажі на радіатор не забувайте про свіжу термопасту та цілісність ізолюючої теплопровідної прокладки (слюди або силікону).