Б/в IRFB3206 транзистор MOSFET N-channel 60В 210А, силовий польовий, корпус TO-220

Б/в Транзистор IRFB3206 MOSFET N-channel (60В, 210А), силовий польовий, корпус TO-220

IRFB3206 — це надзвичайно потужний N-канальний польовий транзистор (MOSFET), справжній «важковаговик» у світі комутації великих струмів. Завдяки екстремально низькому опору відкритого каналу (лише 0.003 Ом) та здатності витримувати колосальний струм до 210 А при напрузі 60 В, він є ідеальним рішенням для найвимогливіших силових схем.

Увага: цей товар є таким, що був у використанні (Б/В, демонтований з робочого обладнання). Ми пропонуємо виключно оригінальні компоненти. Кожен транзистор проходить обов’язкову перевірку на транзистор-тестері перед продажем (ємність затвора, порогова напруга та опір каналу відповідають заводському даташиту). Купівля оригінального б/в транзистора — це гарантія того, що деталь витримає заявлені навантаження, на відміну від нових, але неякісних «перемаркованих» копій.

Основні технічні характеристики:

• Стан: Б/в (демонтовані з плат, повністю перевірені та робочі).

• Тип каналу: N-Channel (N-канальний).

• Гранично допустима напруга стік-витік (|Uds|): 60 В.

• Максимально допустимий постійний струм стоку (|Id|): 210 А (за умови ідеального охолодження).

• Гранично допустима напруга затвор-витік (|Ugs|): ±20 В.

• Порогова напруга включення (|Ugs(th)|): 4 В.

• Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.003 Ом (3 мОм).

• Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C.

• Загальний заряд затвора (Qg): 120 нКл (nC).

• Час зростання (tr): 82 нс (ns).

• Вихідна ємність (Cd): 720 пФ (pF).

• Тип корпусу: TO-220AB.

Де найчастіше використовується:

• Ремонт контролерів електротранспорту (електровелосипеди, самокати, гіроборди).

• Потужні перетворювачі напруги (інвертори 12-220В) та джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS).

• Зварювальні апарати та плати захисту (BMS) для потужних збірок літієвих акумуляторів.

• Керування потужними колекторними та безколекторними (BLDC) двигунами.

Порада від майстра: Пам’ятайте, що заявлені 210А — це пікове теоретичне значення для ідеальних умов і температури кристала 25°C. У реальних схемах для тривалої роботи з великими струмами обов’язково використовуйте масивні алюмінієві радіатори з активним обдувом та якісною термопастою (або теплопровідними прокладками). Крім того, цей транзистор має значний заряд затвора (120 nC). Щоб він відкривався швидко і не перегрівався в лінійному режимі, ним потрібно керувати через спеціальні мікросхеми-драйвери, а не напряму від малопотужних пінів мікроконтролера.