FDP18N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.265 Ohm
б/у 18N50
11.50 грн
18А 500В
65 в наявності
Борис –
Була надія, що китайці дійсно приварюють контактні виводи до б/у оригіналу.
На жаль, з 10 шт. жоден не відповідає техн. характеристикам, навіть приблизно.
smart-admin –
будь ласка детальніше обгрунтуйте свою думку.
яким приладом що заміряли та яка різниця з результатами оригіналу.