б/у 18N50

12.50 грн

18А 500В

85 в наявності

Опис

FDP18N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.265 Ohm

Відгуки (2)

2 відгуки для б/у 18N50

  1. Борис –

    Величини С та Vt не дуже відрізняються від оригінальних, а от RDS, найменша величина 0,6 ом, а найбільша це 1,5 ом. Ставлю в зарядних та блоках живлення.
    Гріються добре, при 20-25 амперах без вентилятора не обійтися.
    До продавця ніяких претензій, все-таки це не 4 оми. Такі я одержав з Китаю. А IRF840 з Китаю мали RDS 18 ом, а С = 500 пф. А зовнішній вигляд ідеальний! Відрізнити не можна. Китайці всюди в обманах прогресують. Тому давайте будемо радіти що є Smart Energy!

    • smart-admin –

      слава Богу

  2. Борис –

    Була надія, що китайці дійсно приварюють контактні виводи до б/у оригіналу.
    На жаль, з 10 шт. жоден не відповідає техн. характеристикам, навіть приблизно.

    • smart-admin –

      будь ласка детальніше обгрунтуйте свою думку.
      яким приладом що заміряли та яка різниця з результатами оригіналу.

Додати відгук

Уведомить о поступлении