Б/у IRFB3206

Б/у Транзистор IRFB3206 MOSFET N-channel (60В, 210А), силовой полевой, корпус TO-220

IRFB3206 — это невероятно мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), настоящий «тяжеловес» в мире коммутации больших токов. Благодаря экстремально низкому сопротивлению открытого канала (всего 0.003 Ом) и способности выдерживать колоссальный ток до 210 А при напряжении 60 В, он является идеальным решением для самых требовательных силовых схем.

Внимание: этот товар был в употреблении (Б/У, демонтирован с рабочего оборудования). Мы предлагаем исключительно оригинальные компоненты. Каждый транзистор проходит обязательную проверку на транзистор-тестере перед продажей (емкость затвора, пороговое напряжение и сопротивление канала соответствуют заводскому даташиту). Покупка оригинального б/у транзистора — это гарантия того, что деталь выдержит заявленные нагрузки, в отличие от новых, но некачественных «перемаркированных» копий.

Основные технические характеристики:

• Состояние: Б/у (демонтированы с плат, полностью проверены и рабочие).

• Тип канала: N-Channel (N-канальный).

• Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 60 В.

• Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 210 А (при условии идеального охлаждения).

• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): ±20 В.

• Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4 В.

• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.003 Ом (3 мОм).

• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C.

• Общий заряд затвора (Qg): 120 нКл (nC).

• Время нарастания (tr): 82 нс (ns).

• Выходная емкость (Cd): 720 пФ (pF).

• Тип корпуса: TO-220AB.

Где чаще всего используется:

• Ремонт контроллеров электротранспорта (электровелосипеды, самокаты, гироборды).

• Мощные преобразователи напряжения (инверторы 12-220В) и источники бесперебойного питания (ИБП / UPS).

• Сварочные аппараты и платы защиты (BMS) для мощных сборок литиевых аккумуляторов.

• Управление мощными коллекторными и бесколлекторными (BLDC) двигателями.

Совет от мастера: Помните, что заявленные 210А — это пиковое теоретическое значение для идеальных условий и температуры кристалла 25°C. В реальных схемах для длительной работы с большими токами обязательно используйте массивные алюминиевые радиаторы с активным обдувом и качественной термопастой (или теплопроводящими прокладками). Кроме того, этот транзистор имеет значительный заряд затвора (120 nC). Чтобы он открывался быстро и не перегревался в линейном режиме, им нужно управлять через специальные микросхемы-драйверы, а не напрямую от маломощных пинов микроконтроллера.