Транзистор HY4008 MOSFET N-Ch 80V 200A TO-252

Транзистор HY4008 MOSFET N-Ch 80V 200A TO-252

Силовий польовий транзистор HY4008 — це екстремально потужний N-канальний MOSFET, упакований у компактний корпус для поверхневого монтажу (SMD). Здатність витримувати напругу до 80 Вольт та неймовірний струм до 200 Ампер (по кристалу) робить його унікальним та безальтернативним рішенням для створення мініатюрних, але надзвичайно потужних електронних модулів.

Завдяки наднизькому опору відкритого каналу, цей транзистор мінімізує теплові втрати, що є критично важливим для SMD-компонентів. Корпус TO-252 (DPAK) дозволяє припаювати його металеву основу безпосередньо до мідних полігонів друкованої плати, які виконують роль радіатора. Цей транзистор є хітом серед розробників компактної силової електроніки.

Основні технічні характеристики:

• Модель: HY4008 (HY4008D).

• Тип транзистора: N-канальний MOSFET.

• Максимальна напруга сток-витік (|Uds|): 80 В.

• Максимальний струм стоку (|Id|): 200 А (струм кристала).

• Корпус: TO-252 / DPAK (SMD для поверхневого монтажу).

• Гранична напруга затвор-витік (|Ugs|): ±25 В.

• Особливості: Наднизький опір, висока швидкість перемикання, компактність.

Де найчастіше використовується:

• Компактні контролери безколекторних двигунів (BLDC) для електротранспорту та дронів.

• Силові модулі захисту акумуляторів (BMS плати) великої ємності.

• Мініатюрні та високопотужні DC-DC перетворювачі напруги.

• Ремонт промислової та портативної силової електроніки.

Порада від майстра: Як і з багатьма іншими надпотужними транзисторами, заявлена цифра 200А — це межа міцності самого кремнієвого кристала, а не SMD-корпусу TO-252! У реальних умовах цей мініатюрний корпус фізично не здатен відвести тепло від таких струмів, а тонкі мідні доріжки плати просто випаруються. Реальне тривале навантаження на один такий SMD-транзистор не повинно перевищувати 40-50 Ампер. Для максимальної тепловіддачі обов’язково робіть великі полігони міді на платі з перехідними отворами (thermal vias) під металевою “спинкою” транзистора, а при більших струмах — ставте їх паралельно!