FQPF 20N60C транзистор MOSFET N-channel 600V 20A корпус TO-220F польовий

FQPF 20N60C транзистор MOSFET N-channel 600V 20A корпус TO-220F польовий

FQPF20N60C — це потужний високовольтний польовий транзистор (MOSFET) з N-каналом, розроблений для використання у високоефективних системах комутації та перетворення енергії. Завдяки високій робочій напрузі (до 600 В) та здатності пропускати струм до 20 А, цей компонент є базовим для багатьох силових схем.

Головна перевага цієї моделі — використання повністю пластикового ізольованого корпусу TO-220F (Fullpak). Це означає, що металевий тепловідвід транзистора ізольований, і вам не потрібно використовувати слюдяні чи силіконові прокладки під час його монтажу на загальний радіатор (достатньо лише термопасти). Як видно на нашому тестовому стенді, компоненти проходять перевірку на відповідність заявленій напрузі пробою.

Основні технічні характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET, N-канал.

• Максимальна напруга стік-витік ($V_{DSS}$): 600 В.

• Максимальний струм стіку ($I_D$): 20 А (при 25°C).

• Тип корпусу: TO-220F (повністю ізольований, для монтажу в отвори).

• Низький опір у відкритому стані ($R_{DS(on)}$): забезпечує мінімальні втрати на нагрівання.

• Особливості: Стійкість до лавинного пробою (Avalanche tested), висока швидкість перемикання.

Де найчастіше використовується:

• Імпульсні блоки живлення (ІБЖ / SMPS) для телевізорів, ПК та промислової техніки.

• Зварювальні інвертори (як силові ключі).

• Джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS).

• Інвертори напруги (з 12/24В на 220В) та контролери двигунів.

• Електронні баласти для освітлення.