*Ш3 BSS138

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features
• 0.22 A, 50 V. RDS(ON) = 3.5Ω @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 6.0Ω @ VGS = 4.5 V

маркировка на корпусе J1

предельное управляемое напряжение сток исток 50 В

предельное напряжение управления затвор исток 20 В

предельный стабильный ток 02 А